Étude de transistors pnp sur SOI

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Artikelnummer:
1015721
  • Produktbeschreibung

    Étude de transistors pnp sur SOI

    Récemment, les transistors bipolaires de type pnp sur silicium, intrinsèquement moins performants que les transistors npn, ont connu un regain d'intérêt avec le développement des technologies BiCMOS complémentaires. Elles associent les transistors MOS avec les transistors bipolaires de type npn et pnp, permettant d'atteindre des performances supérieures aux technologies BiCMOS classiques qui utilisent uniquement des transistors bipolaires de type npn. De plus, en combinant cette technologie avec un substrat SOI mince au lieu d'un substrat massif, les caractéristiques des transistors MOS et des composants passifs s'en trouvent améliorées. Le travail présenté ici a pour objet la mise au point et l'étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur SOI mince performants, en vue de leur intégration dans une technologie BiCMOS SiGe complémentaire sur SOI mince.
  • Zusatzinformation

    Autor
    Bindung
    Taschenbuch
    Verlag
    Éditions universitaires européennes
    ISBN / EAN
    9786131505966
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